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青島佳恩半導(dǎo)體有限公司(總部)

  • 科普|IGBT開關(guān)時(shí)間的定義
    2022.03.26

    科普|IGBT開關(guān)時(shí)間的定義

    IGBT的開關(guān)過程主要是由柵極電壓VGE控制的,由于柵極和發(fā)射極之間存在著寄生電容艮,因此IGBT的開通與關(guān)斷就相當(dāng)于對(duì)CGE進(jìn)行充電與放電。假設(shè)IGBT初始狀態(tài)為關(guān)斷狀態(tài),即VGE為負(fù)壓VGC-,后級(jí)輸出為阻感性負(fù)載,帶有續(xù)流二極管。那么對(duì)于IGBT開關(guān)時(shí)間的定義,你又了解多少?具體如下。

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  • 電子元件中的電容器,你了解多少?
    2022.03.25

    電子元件中的電容器,你了解多少?

    ?電容是表征電容器容納電荷的本領(lǐng)的物理量。我們把電容器的兩極板間的電勢差增加1伏所需的電量,叫做電容器的電容。電容的符號(hào)是C。電容是電子設(shè)備中大量使用的電子元件之一,廣泛應(yīng)用于隔直,耦合,旁路,濾波,調(diào)諧回路,能量轉(zhuǎn)換,控制電路等方面。用C表示電容,電容單位有法拉(F)、微法拉(uF)、皮法拉(pF),1F=10*6uF=10*12pF

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  • 硅晶圓制造的三大步驟:提純、單晶硅生長、晶圓成型
    2022.03.23

    硅晶圓制造的三大步驟:提純、單晶硅生長、晶圓成型

    眾所周知,硅晶圓是制造半導(dǎo)體器件和芯片的基本材料,而且在產(chǎn)業(yè)中扮演著舉足輕重的地位,可以說硅是當(dāng)今最重要、應(yīng)用最廣泛的半導(dǎo)體材料。

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  • 光伏逆變器的重點(diǎn)核心利用——IGBT保護(hù)技術(shù)
    2022.03.21

    光伏逆變器的重點(diǎn)核心利用——IGBT保護(hù)技術(shù)

    ?光伏逆變器是光伏系統(tǒng)非常重要的一個(gè)設(shè)備,主要作用是把光伏組件發(fā)出來的直流電變成交流電,除此之外,逆變器還承擔(dān)檢測組件、電網(wǎng)、電纜運(yùn)行狀態(tài),和外界通信交流,系統(tǒng)安全管家等重要功能。一款全新逆變器的產(chǎn)出需要兩年多的時(shí)間,前期需要投入大量的人力和物力去研發(fā)和測試。

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  • 逆變器的場效應(yīng)管散熱不好或工作于開關(guān)狀態(tài),皆可導(dǎo)致管子發(fā)熱
    2022.03.19

    逆變器的場效應(yīng)管散熱不好或工作于開關(guān)狀態(tài),皆可導(dǎo)致管子發(fā)熱

    ?逆變器的場效應(yīng)管工作于開關(guān)狀態(tài),并且流過管子的電流很大,若管子選型不合適、驅(qū)動(dòng)電壓幅度不夠大或電路的散熱不好,皆可導(dǎo)致場效應(yīng)管發(fā)熱。

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  • 變頻器過流故障的種類
    2022.03.18

    變頻器過流故障的種類

    ?變頻器的過流故障可分為短路、輕載、重載、加速、減速、恒速過電流,分析變頻器出現(xiàn)過流故障的原因應(yīng)從兩方面來考慮:一是外部原因;二是變頻器本身的原因。

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