IGBT是電力電子裝置的CPU，在電力電子變流和控制中起著舉足輕重的作用。變頻器中，IGBT模塊更為重要。但是，IGBT模塊會經(jīng)常出現(xiàn)爆炸的情況。

因?yàn)槟承┰颍K的損耗十分巨大，熱量散不出去，導(dǎo)致內(nèi)部溫度極高，產(chǎn)生氣體，沖破殼體，這就是所謂的IGBT爆炸。下面，對IGBT爆炸的原因進(jìn)行簡明扼要的介紹。

IGBT爆炸原因主要圍繞內(nèi)部因素、人為因素、常見因素、其他因素四方面。

1、內(nèi)部因素：

從爆炸的本質(zhì)是發(fā)熱功率超過散熱功率，內(nèi)部原因應(yīng)該就是過熱。

2、人為因素：

●進(jìn)線接在出線的端子上

●變頻器接錯(cuò)電源

●沒按要求接負(fù)載

3、常見因素：

●過電流：一種是負(fù)載短路，另一種是控制電路處邏輯受干擾，導(dǎo)致上下橋臂元件直通。

●絕緣的損壞

●過電壓：通常是線路雜散電感在極高的di/dt作用下產(chǎn)生的尖峰電壓而造成，解決的辦法就是設(shè)計(jì)高性能吸收回路，降低線路雜散電感。

●過熱：IGBT不能完全導(dǎo)通，在有電流的情況下元件損耗增大，溫度增加導(dǎo)致?lián)p壞。

●通訊誤碼率：通訊一段時(shí)間后，突然的錯(cuò)誤信息導(dǎo)致IGBT誤導(dǎo)通使IGBT爆炸;通訊板FPGA程序運(yùn)行不穩(wěn)定導(dǎo)致IGBT誤導(dǎo)通使IGBT爆炸。

4、其他因素：

●電路中過流檢測電路反應(yīng)時(shí)間跟不上。

●IGBT短路保護(hù)是通過檢測飽和壓降，而留給執(zhí)行機(jī)構(gòu)的時(shí)間一般是10us(8倍過流)在上電的時(shí)候容易燒預(yù)充電電阻和制動單元里的IGBT。

●工藝問題：銅排校著勁、螺絲擰不緊等。

●短時(shí)大電流：原因也有很多，比如死區(qū)沒設(shè)置好、主電路過壓、吸收電路未做好。

●驅(qū)動電源也是個(gè)應(yīng)該特別注意的問題，該隔離加隔離、該濾波加濾波。

●電機(jī)沖擊反饋電壓過大導(dǎo)致IGBT爆炸。但是對于充電時(shí)爆炸的情況發(fā)生的概率不是很大。

●電機(jī)啟動時(shí)，輸入測電壓瞬間跌落，電容放電。輸入測電壓恢復(fù)后電容充電時(shí)的浪涌電流過大致使IGBT爆炸。

以上就是小編今天要分享的所有內(nèi)容啦，大家有任何問題可以留言給我們哦~

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