MOS管和IGBT管作為現(xiàn)代電子設(shè)備使用頻率較高的新型電子器件，因此在電子電路中常常碰到也習(xí)以為常。可是MOS管和IGBT管由于外形及靜態(tài)參數(shù)相似的很，有時在選擇、判斷、使用容易出差池。MOS管和IGBT管可靠的識別方法為選擇、判斷、使用掃清障礙。

MOS管即MOSFET，中文名金屬氧化物半導(dǎo)體絕緣柵場效應(yīng)管。其特性，輸入阻抗高、開關(guān)速度快、熱穩(wěn)定性好、電壓控制電流等特性。

IGBT中文名絕緣柵雙極型場效應(yīng)晶體管，是MOS管與晶體三極管的組合，MOS是作為輸入管，而晶體三極管作為輸出管。于是三極管的功率做的挺大，因此兩者組合后即得到了MOS管的優(yōu)點又獲得了晶體三極管的優(yōu)點。

綜上所述的兩種晶體管，是目前電子設(shè)備使用頻率很高的電子元器件，兩者在外形及靜態(tài)參數(shù)極其相似，某些電子產(chǎn)品是存在技術(shù)壟斷， 在電路中有時它們的型號是被擦掉的，截止目前，它們在命名標(biāo)準及型號又沒有統(tǒng)一標(biāo)準，而外型及管腳的排列相似，根本無規(guī)律可循，成為維修過程中的攔路虎，如何區(qū)分和判斷成為必要手段。

帶阻尼的NPN型IGBT管與N溝道增強型MOMS管的識別帶阻尼的NPN型IGBT管與N溝道增強型MOMS管它們的柵極位置一樣，IGBT管的C極位置跟MODS管的D極位置相對應(yīng)，IGBT管的e極位置跟MODS管的S極位置相對應(yīng)，對它們的好壞判斷及及區(qū)分可以用動靜態(tài)測量方法來完成，具體如下。

一、靜態(tài)測量判斷MOS管和IGBT管的好壞

先將兩個管子的管腳短路放掉靜電，MOS管的D極與S極之間有個PN接，正向?qū)ǚ聪蚪刂?，于是有Rgd=Rgs=Rds=無窮大，Rsd=幾千歐。IGBT管的G極到c、e極的電阻應(yīng)為無窮大，即Rgc=Rge=無窮大，而IGBT管的之間有阻尼二極管的存在，因此具有單向?qū)щ姺聪蚪刂固匦?，即Rce=無窮大，Rec=幾千歐。從這里只能用萬用表的電阻檔判斷出管子的好壞，卻區(qū)分不出是那種管子。測量的阻值很小，則說明管子被擊穿，測量阻值很大，說明管子內(nèi)部斷路。

二、動態(tài)測量區(qū)分MOS管和IGBT管

先用萬用表給管子的柵極施加電壓，使場效應(yīng)管建立起溝道，然后測量D、S及c、e之間的阻值，根據(jù)阻值的差異來區(qū)分MOS管和IGBT管。

用萬用表的電阻檔測量兩個管子的D、S及c、e之間的電阻，由于場效應(yīng)管已經(jīng)建立溝道，Rds=Rsd≈0，而Rce之間呈現(xiàn)電阻Rce，晶體三極管處于放大狀態(tài)的導(dǎo)通電阻，Rec為內(nèi)部阻尼二極管的導(dǎo)通電阻，兩者均為幾千歐。因此根據(jù)測量可知，兩個管子的導(dǎo)通程度不一樣，MOS管的D、S之間電阻值是遠小于IGBT管c、e之間的電阻值，于是可以分辨出MOS與IGBT管。

以上就是今天小編要講的所有內(nèi)容啦，有問題可留言給我們哦~

備注：本文素材來源于網(wǎng)絡(luò)，僅作學(xué)習(xí)與交流，所有觀點屬于原作者，不代表對該觀點表示支持或贊同，如有侵犯到您的權(quán)利，請及時聯(lián)系我們刪除。