IGBT即絕緣柵雙極晶體管，是一種復合了功率場效應管和電力晶體管的優(yōu)點而產生的一種新型復合器件,它同時具有MOSFET的高速開關及電壓驅動特性和雙極晶體管的低飽和電壓特性，易實現較大電流的能力，既具有輸入阻抗高、工作速度快、熱穩(wěn)定性好和驅動電路簡單的優(yōu)點，又具有通態(tài)電壓低、耐壓高和承受電流大的優(yōu)點。

       近年來IGBT成為電力電子領域中尤為矚目的電力電子器件，并得到越來越廣泛的應用。因此IGBT的測試就變的尤為重要。

        IGBT的測試包括靜態(tài)參數測試、動態(tài)參數測試、短路測試、熱阻測試等，這些測試中最基本的測試就數靜態(tài)參數測試，只有保證IGBT的靜態(tài)參數沒有問題的情況下，才進行像動態(tài)參數（開關時間、開關損耗、續(xù)流二極管的反向恢復）、短路、熱阻方面進行測試，要進行IGBT靜態(tài)參數測試，首先就需要了解IGBT都有哪些靜態(tài)參數，具體如下。

 IGBT靜態(tài)參數有BVCES,ICES,IGES,VGE(TH),VCE(SAT),VF等。

 1、BVCES

 在柵極 G 和發(fā)射極 E 短路時，在加一定的 IC 下，IGBT 的集電極 C 和發(fā)射極 E 之間的擊穿電壓。

  2、ICES

 在柵極 G 和發(fā)射極 E 短路時，在加一定的 VCE 下，IGBT 的集電極 C 和發(fā)射極 E 之間的漏電流。

 3、IGES

 在集電極 C 和發(fā)射極 E 短路時，在加一定的 VGE 下，IGBT 的柵極 G 和發(fā)射極 E 之間的漏電流。

 4、VGE(TH)

在一定的 IC 下，IGBT 的開啟電壓。

 5、VCE(SAT)

在柵極 G 和發(fā)射極之間加一定的 VGE(大于 VGE(TH)),一定的 IC 下，IGBT 的集電極 C 和發(fā)射極 E 之間的飽和壓降。

6、VF

在一定的 IE 下，續(xù)流二極管的電壓降。

要判斷一個IGBT器件的好壞，就需要對以上這些參數進行測試，測試結果就要和IGBT生產廠家出的IGBT的規(guī)格書中的電氣特性這一欄里邊的范圍進行比較，在范圍之內就合格，否則不合格。

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