IGBT單管:多種先進的IGBT技術(shù)平臺:平面非穿通,溝槽非穿通,平面場截止,溝槽場截止;從經(jīng)濟和性能方面為用戶提供靈活的選擇方案。
IGBT模塊:采用先進的平面場截止技術(shù),具有地飽和壓降和高速開關(guān)特性,適合焊機、電磁感應(yīng)加熱等高頻電源應(yīng)用。
IPM:DIP-25 IPM智能功率模塊,集成IGBT三相逆變電路和過壓、欠壓、過流、過熱等保護電路。
高壓VDMOS:成熟的高壓平面VDMOS產(chǎn)品。平面高壓MOS,電壓600~1500伏特,應(yīng)用于逆變器、充電器以及高壓開關(guān)電源等領(lǐng)域。
以下是幾款典型的產(chǎn)品介紹:
1、JNG20T60FS TO-220F
產(chǎn)品介紹:
溝槽NPT工藝,方形RBSOA,軟電流關(guān)斷波形。較低的開關(guān)損耗帶來系統(tǒng)能效提升,廣泛應(yīng)用于各類逆變及開關(guān)應(yīng)用。20A 600V IGBT產(chǎn)品有TO-220F封裝、TO-220C封裝、TO-247封裝、TO-263封裝。
2、JNG40T60HS TO-247
產(chǎn)品介紹:
溝槽NPT工藝,1.8V低導(dǎo)通壓降,方形RBSOA,軟電流關(guān)斷波形。較低的開關(guān)損耗帶來系統(tǒng)能效提升,廣泛應(yīng)用于各類 逆變及開關(guān)應(yīng)用。40A 600V IGBT產(chǎn)品有TO-247封裝和TO-3P-3(內(nèi)絕緣)封裝。
3、JNG15T120HS TO-247
產(chǎn)品介紹:
溝槽NPT工藝,1.9V低導(dǎo)通壓降,方形RBSOA,軟電流關(guān)斷波形。較低的開關(guān)損耗帶來系統(tǒng)能效提升,廣泛應(yīng)用于各類感應(yīng)加熱、逆變及開關(guān)應(yīng)用。15A 1200V IGBT產(chǎn)品有TO-247封裝、TO-220C封裝、TO-220F封裝、TO-3P-3(內(nèi)絕緣)封裝。
4、JNG25N120HS TO-247
產(chǎn)品介紹:
平面NPT工藝,優(yōu)秀的短路能力,方形RBSOA,軟電流關(guān)斷波形。較低的開關(guān)損耗帶來系統(tǒng)能效提升,廣泛應(yīng)用于各類變頻及開關(guān)應(yīng)用。
5、JNG40T120HS TO-247
產(chǎn)品介紹:
溝槽NPT工藝,2.2V低導(dǎo)通壓降,方形RBSOA,軟電流關(guān)斷波形。較低的開關(guān)損耗帶來系統(tǒng)能效提升,廣泛應(yīng)用于各類感應(yīng)加熱、逆變及開關(guān)應(yīng)用。40A 1200V IGBT產(chǎn)品有TO-247封裝、TO-247-3(內(nèi)絕緣)封裝。
6、JNG50N120LS TO-264
產(chǎn)品介紹:
平面NPT,優(yōu)秀的短路能力,方形RBSOA,軟電流關(guān)斷波形。較低的開關(guān)損耗帶來系統(tǒng)能效提升,廣泛應(yīng)用于各類變頻及開關(guān)應(yīng)用。50A 1200V IGBT產(chǎn)品有TO-264封裝、TO-247PLUS封裝。
7、JNG75T120LS TO-264
產(chǎn)品介紹:
溝槽NPT,1.75V低導(dǎo)通壓降,方形RBSOA,軟電流關(guān)斷波形。較低的開關(guān)損耗帶來系統(tǒng)能效提升,廣泛應(yīng)用于各類感應(yīng)加熱、逆變及開關(guān)應(yīng)用。75A 1200V IGBT產(chǎn)品有TO-264封裝和TO-247PLUS封裝。
8、JNG15N120AI TO-3P-3(內(nèi)絕緣)
產(chǎn)品介紹:
平面NPT,內(nèi)絕緣封裝,優(yōu)秀的短路能力,方形RBSOA,軟電流關(guān)斷波形。較低的開關(guān)損耗帶來系統(tǒng)能效提升,廣泛應(yīng)用于各類變頻及開關(guān)應(yīng)用。15A 1200V IGBT產(chǎn)品有TO-247封裝、TO-220C封裝、TO-220F封裝、TO-3P-3(內(nèi)絕緣)封裝。
9、JFQM3N150C TO-3PH
產(chǎn)品介紹:
平面MOS工藝,卓越EMI優(yōu)化設(shè)計及EAS能力,低導(dǎo)通電阻,廣泛應(yīng)用于各種開關(guān)電源電路。3A 1500V MOSFET產(chǎn)品有TO-3PH封裝和TO-220F-3封裝。
10、JNG30T60IPD1S1 DIP-25
產(chǎn)品介紹:
IPM工藝,內(nèi)置低損耗600V 30A IGBT 三相逆變器;增強型輸入濾波,高速600V電平轉(zhuǎn)換;電源欠壓保護,短路(過流)保護;兼容3.3V & 5V輸入信號,高電平有效;下橋臂IGBT發(fā)射極輸出;內(nèi)置自舉二極管。